唐叔贤教授是材料表面科学与技术专家。1964年毕业于香港大学理学院，1967、1969年分别获加州大学硕士、博士学位。2000年当选美国物理学会会士, 2001年当选中国科学院院士，2010年当选第三世界科学院院士。长期从事材料表面科学与技术研究，发展了固体中电子的多重散射理论体系，在低能电子衍射(LEED)、低能正电子衍射(LEPD)、光电子衍射(PHD)、高分辨电子能量损失谱(HREELS)，以及反射高能电子衍射(RHEED)等技术的测量结果的定量分析上作出了创造性的系统贡献。在先进材料生长上开展了氮化镓在碳化硅衬底上的生长研究，并探讨了氮化镓的异质生长机制。唐叔贤教授被邀请组织了30多个重要的国际专业学术机构国际会议，这些机构包括美国材料研究学会、美国物理学会、国际纯粹与应用物理联盟和美国真空科学与应用联合会。唐院士同时担任多个国际和国内著名专业学术刊物的主编或编委。唐叔贤教授著书6本，在国际学术期刊发表文章270多篇，H因子是47。